2SK3567
2003-04-15
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (
π
-mosvi)
2SK3567
切换 调整器 产品
•
低 流-源 在 阻抗: r
ds (在)
= 1.7 (典型值.)
•
高 向前 转移 admittance: |y
fs
| = s (典型值.)
•
低 泄漏 电流: i
DSS
= 100 一个 (V
DS
= 600 v)
•
增强-模式: v
th
= 2.0~4.0 v (v
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安)
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DSS
600 v
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
Ω
) v
DGR
600 v
门-源 电压 V
GSS
±
30 v
直流 (便条 1) I
D
3.5
流 电流
脉冲波 (t
=
1 ms)
(便条 1)
I
DP
14
一个
流 电源 消耗 (tc
=
25°c)
P
D
35 w
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 2)
E
作
tbd mj
avalanche 电流 I
AR
3.5 一个
repetitive avalanche 活力 (便条 3) E
AR
3.5 mj
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
-55~150 °c
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 频道 至 情况 R
th (ch-c)
3.57 °c/w
热的 阻抗, 频道 至 包围的 R
th (ch-一个)
62.5 °c/w
便条 1: 请 使用 设备 在 情况 那 这 频道 温度 是 在下 150°c.
便条 2: V
DD
=
90 v, t
ch
=
25°c, l
=
tbd mh, i
AR
=
3.5 一个, r
G
=
25
Ω
便条 3: repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 频道 温度
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
电子元件工业联合会
JEITA
TOSHIBA
2.7
±
0.2
1
2 3
2.54
±
0.25 2.54
±
0.25
10
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
3.0
3.9
15.0
±
0.3
12.5 最小值
2.8max
0.69
±
0.15
1.1
1.1
4.5
±
0.2
2.6
0.64
±
0.15
1. 门
2. 流
3. 源
1
3
2
单位
TENTATIVE
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