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资料编号:745145
 
资料名称:2SK3567
 
文件大小: 94K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3567
2003-04-15
1
toshiba 字段 效果 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (
π
-mosvi)
2SK3567
开关 调节器 应用程序
低 漏源 开启 电阻: 右
ds (开启)
= 1.7 (典型值.)
高 前进 转让 admittance: |y
fs
| = s (典型值.)
低 泄漏 电流: 我
DSS
ds
增强功能-模式: v
th
= 2.0~4.0 v (v
ds
= 10 v, 我
d
= 1 ma)
最大值 额定值
(助教
=
==
=
25°c)
特性 符号 评级 单位
漏源 电压 v
DSS
600 v
漏极-栅极 电压 (右
gs
=
20 k
) v
DGR
600 v
栅极-源极 电压 v
GSS
±
30 v
直流 (备注 1)
d
3.5
排水管 电流
脉冲 (t
=
1 ms)
(备注 1)
dp
14
一个
排水管 电源 耗散 (tc
=
25°c)
p
d
35 w
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 2)
e?
作为
tbd mj
雪崩 电流
ar
3.5 一个
重复性 雪崩 能源 (备注 3) e?
ar
3.5 mj
频道 温度 t
ch
150 °c
存储 温度 范围 t
stg
-55~150 °c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 频道 至 案例
th (ch-c)
3.57 °c/w
热 电阻, 频道 至 环境
th (ch-一个)
62.5 °c/w
备注 1: 请 使用 设备 开启 条件 那 这 频道 温度 是 下面 150°c.
备注 2: v
dd
=
90 v, t
ch
=
25°c, l
=
tbd mh, 我
ar
=
3.5 一个, 右
g
=
25
备注 3: 重复性 评级: 脉冲 宽度 有限 由 最大值 频道 温度
这个 晶体管 是 一个 静电 敏感 设备. 请 手柄 与 注意事项.
电子元件工业联合会
JEITA
TOSHIBA
2.7
±
0.2
1
2 3
2.54
±
0.25 2.54
±
0.25
10
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
3.0
3.9
15.0
±
0.3
12.5 最小值
2.8max
0.69
±
0.15
1.1
1.1
4.5
±
0.2
2.6
0.64
±
0.15
1. 闸门
2. 排水管
3. 来源
1
3
2
单位
TENTATIVE
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