km6161002b, km6161002bi
cmos sram
rev 2.0
- 1 -
二月 1998
文件 标题
64kx16 有点 高 速度 静态 ram(5.0v 操作), 革命性的 管脚 出点.
操作 在 商业 和 工业 温度 范围.
修订 历史
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至 变更 这 规格. samsung 电子产品 将 评估 和 回复 至 你的 请求 和 提问 开启 这 参数 的 th 是
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rev 否.
rev. 0.0
rev. 1.0
rev. 2.0
Remark
设计 目标
初步
决赛
历史
初始 释放 与 设计 目标.
释放 至 初步 数据 工作表.
1. 更换 设计 目标 至 初步.
释放 至 决赛 数据 工作表.
2.1. 删除 初步
2.2. 删除 l-版本.
2.3. 删除 数据 保留 特性 和 波形.
2.4. 添加 电容式 荷载 的 这 测试一下 环境 入点 一个.c 测试一下 荷载
2.5.变更 d.c 特性
项目
上一个 规格.
(8/10/12ns 零件)
已更改 规格.
(8/10/12ns 零件)
Icc 200/190/180ma 200/195/190ma
Isb 30mA 50mA
草稿 数据
apr. 1st, 1997
六月. 1st, 1997
二月. 25th, 1998
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