特性
TrenchFET
电源 mosfets
低 门 驱动 (2.5 v) 能力 为
频道 2
产品
game station
−
加载 转变
Si4955DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72241
s-32411—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
assymetrical 双 p-频道 30-v/20-v (d-s) mosfets
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
频道-1
−
30
0.054 @ v
GS
=
−
10 v
−
5.0
频道-1
−
30
0.100 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
3.7
0.027 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
7.0
频道-2
−
20
0.035 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
6.2
0.048 @ v
GS
=
−
1.8 v
−
5.2
S
1
G
1
D
1
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4955DY—E3
si4955dy-t1—e3 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
频道-1 频道-2
参数 标识
10 secs 稳步的 状态 10 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
−
30
−
20
V
门-源 电压 V
GS
20
8
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
5.0
−
3.8
−
7.0
−
5.3
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
4.0
−
3.0
−
5.6
−
4.2
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
1.7
−
0.9
−
1.7
−
0.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.1 2 1.1
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.7 1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
频道-1 频道-2
参数 标识
Typ 最大值 Typ 最大值
单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
55 62.5 58 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110 91 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
33 40 34 40
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.