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资料编号:791647
 
资料名称:2SC4570-T1
 
文件大小: 66K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 工作表
硅 晶体管
2SC4570
npn 硅 外延 晶体管
超级 迷你 模具
数据 工作表
文件 否. p10408ej2v0ds00 (2nd 版本)
(上一个 否. tc-2434)
日期 已发布 march 1997 n
已打印 入点 日本
1993©
描述
这 2sc4570 是 一个 低 供应 电压 晶体管 设计 用于 uhf
osc/混合.
它 是 适合 用于 一个 高 密度 表面 安装 总成 自 这
晶体管 有 被 已应用 超级 迷你 模具 包装.
特点
高 f
t
: 5.5 ghz 典型值 (@ v
ce
= 5 v, 我
c
= 5 ma, f = 1 ghz)
低 c
ob
: 0.7 pf 典型值 (@ v
cb
= 5 v, 我
e?
= 0, f = 1 mhz)
超级 迷你 模具 包装. (eiaj : sc-70)
订购 信息
零件
号码
数量 填料 风格
2sc4570-t1 3 kpcs./卷轴 压花 胶带 8 mm 宽. 管脚 3 (收集器) 面部
至 perforation 侧面 的 这 胶带.
2sc4570-t2 3 kpcs./卷轴 压花 胶带 8 mm 宽. 管脚 1 (发射器), 管脚 2
(底座) 面部 至 perforation 侧面 的 这 胶带.
* 请 联系人 与 负责 nec 人, 如果 你 需要 评价
样品. 单位 样品 数量 应 是 50 pcs. (零件 否.: 2sc4570)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c)
收集器 至 底座 电压 v
CBO
20 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
12 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
3V
收集器 电流
c
30 ma
合计 电源 耗散 p
t
120 mW
接合点 温度 t
j
125
c
存储 温度 t
stg
55 至 +125
c
包装 尺寸
(单位: mm)
1.25±0.1
2
1
3
标记
管脚 连接
1.
2.
3.
发射器
底座
收集器
2.1±0.1
2.0±0.20.9±0.1
0 至 0.1
0.650.3 0.65
0.3
+0.1
0
0.3
+0.1
0
0.15
+0.1
0.05
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