AT27C080
1
0360f-b–7/97
8-兆位
(1m x 8)
uv 可擦除
cmos 非易失存储器
在27c080
特点
•
快 阅读 访问权限 时间 - 90 ns
•
低 电源 cmos 操作
- 100
µ
一个 最大值 备用
- 40 ma 最大值 活动 在 5 mhz
•
电子元件工业联合会 标准 软件包
- 32 铅 plcc
- 32-铅 600-密耳 pdip 和 cerdip
- 32-铅 450-密耳 soic (sop)
- 32-铅 tsop
•
5V
±
10% 供应
•
高可靠性 cmos 技术
- 2,000v esd 保护
- 200 ma latchup 免疫
•
快速
™
编程 算法 - 50
µ
s/字节 (典型)
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 产出
•
综合 产品 标识 代码
•
工业 和 商业 温度 范围
描述
这 at27c080 芯片 是 一个 低-电源, 高性能 8,388,608-有点 紫外线 时代-
能 可编程 阅读 仅 记忆 (非易失存储器) 有组织的 作为 1m 由 8 比特. 这
at27c080 需要 仅 一个 5v 电源 供应 入点 正常 阅读 模式 操作. 任何
字节 可以 是 已访问 入点 较少 比 90 ns, 消除 这 需要 用于 速度 减少
等待 国家 开启 高性能 微处理器 系统.
atmel’s 缩放 cmos 技术 提供 低 活动 电源 消费 和 快
编程. 电源 消费 是 通常 10 ma 入点 活动 模式 和 较少 比 10
µ
一个 入点 备用 模式.
(续)
管脚 配置
管脚 姓名 功能
a0 - a19 地址
o0 - o7 产出
ce
芯片 启用
oe
输出 启用
plcc 顶部 查看
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
A14
A13
A8
A9
A11
oe/vpp
A10
ce
07
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
01
02
地
03
04
05
06
A12
A15
A16
A19
VCC
A18
A17
cdip, pdip, soic 顶部 查看
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
地
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
oe/vpp
A10
ce
07
06
05
04
03
tsop 顶部 查看
Type?1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
oe/vpp
A10
ce
07
06
05
04
03
地
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
A4
: 点此下载
