m54/m74hc367
m54/m74hc368
October 1992
HC367 非 INVERTIng, HC368 INVERTING
十六进制 总线 缓存区 (3-状态)
B1R
(塑料 包装)
顺序 代号 :
M54HCXXXF1R M74HCXXXM1R
M74HCXXXB1R M74HCXXXC1R
F1R
(陶瓷的 包装)
M1R
(微观的 包装)
C1R
(碎片 运输车)
管脚 连接
(顶 视图)
HC368
HC367
DESCRIPTION
.
高 速
t
PD
= 11 ns (典型值.) 在 V
CC
=5V
.
低 电源 消耗
I
CC
=4
µ
一个 (最大值.) 在 T
一个
=25
°
C
.
高 噪音 免除
V
NIH
=V
NIL
=28%V
CC
(最小值.)
.
输出 驱动 能力
15 LSTTL 负载
.
对称的 输出 阻抗
|I
OH
|=I
OL
= 6 毫安 (最小值.)
.
保持平衡 传播 延迟
t
PLH
=t
PHL
.
宽 运行 电压 范围
V
CC
(opr) = 2 V 至 6 V
.
管脚 和 函数 兼容 和
54/74ls367/368
这 m54/74hc367 和 这 m54/74hc368 是 高
速 CMOS 十六进制 总线 缓存区 (3-状态) fabri-
cated 在 硅 门 C
2
MOS 技术. 它们 有
这 一样 高 速 效能 的 LSTTL com-
bined 和 真实 CMOS 低 电源 消耗量.
这些 设备 包含 六 缓存区, 四 缓存区 是
控制 用 一个 使能 输入 (g1) 和 这 其它 二
缓存区 是 控制 用 这 其它 使能 输入
(g2) ; 这 输出 的 各自 缓存区 组 是 使能
当 G1 和/或者 G2 输入 是 使保持 低, 和
当 使保持 高 这些 输出 是 无能 至 是
高-阻抗.
这些 输出 是 有能力 的 驱动 向上至 15 LSTTL
负载. 这 设计者 有 一个 选择 的 非-反相的
输出 (hc367) 和 反相的 输出 (hc368).
所有 输入 是 配备 和 保护 电路
相反 静态的 释放 和 瞬时 excess volt-
age.
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