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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
开关 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器–发射器 电压 v
CEO
15 Vdc
收集器–发射器 电压 v
消费电子展
40 Vdc
收集器–底座 电压 v
CBO
40 Vdc
发射器–底座 电压 v
EBO
4.5 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
200 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr–5 板
(1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材,
(2)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
设备 标记
mmbt2369lt1 = m1j; mmbt2369alt1 = 1ja
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器–发射器 击穿 电压 (3)
(我
c
= 10 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
15 — —
Vdc
收集器–发射器 击穿 电压
(我
c
= 10
µ
adc, v
是
= 0)
v
(br)消费电子展
40 — —
Vdc
收集器–底座 击穿 电压
(我
c
= 10
m
adc, 我
e?
= 0)
v
(br)cbo
40 — —
Vdc
发射器–底座 击穿 电压
(我
e?
= 10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
4.5 — —
Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 20 vdc, 我
e?
= 0)
(v
cb
= 20 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 150
°
c)
我
CBO
—
—
—
—
0.4
30
µ
adc
收集器 截止 电流
(v
ce
= 20 vdc, v
是
= 0) MMBT2369A
我
消费电子展
— — 0.4
µ
adc
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点. 99.5% 氧化铝.
3. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mmbt2369lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMBT2369LT1
MMBT2369ALT1
1
2
3
案例 318–08, 风格 6
SOT–23 (至 – 236ab)
*motorola 首选 设备
*
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
1
底座
2
发射器
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