特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
Si4936ADY
vishay siliconix
文件 号码: 71132
s-31989—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
1
双 n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
30
0.036 @ v
gs
= 10 v 5.9
30
0.053 @ v
gs
= 4.5 v 4.9
s
1
d
1
g
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d
1
s
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d
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g
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d
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n通道 场效应晶体管
d
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d
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g
1
s
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n通道 场效应晶体管
d
2
d
2
g
2
s
2
订购 信息: Si4936ADY
si4936ady-t1 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
5.9 4.4
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
4.7 3.6
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1.7 0.9
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0 1.1
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.3 0.7
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
50 62.5
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
90 110
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
32 40
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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