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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
概述 目的 晶体管
pnp 硅
这些transistors 一个右e? designed f或general purpose? 一个mplifier
应用程序.t他y 一个右e? housed 我n the? sot–323/sc–70 which 我s
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
最大值 额定值
评级 符号 BC856 BC857 BC858 单位
收集器–发射器 电压 v
CEO
–65 –45 –30 v
收集器–底座 电压 v
CBO
–80 –50 –30 v
发射器–底座 电压 v
EBO
–5.0 –5.0 –5.0 v
收集器 电流 — 连续 我
c
–100 –100 –100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr–5 板, (1)
t
一个
= 25
°
c
p
d
150 mW
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
833
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
设备 标记
bc856awt1 = 3a; bc856bwt1 = 3b; bc857awt1 = 3e; bc857bwt1 = 3f;
BC858Awt1 = 3j; bc858bwt1 = 3k; bc858cwt1 = 3l
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器–发射器 击穿 电压 bc856 系列
(我
c
= –10 ma) bc857 系列
bc858 系列
v
(br)ceo
–65
–45
–30
—
—
—
—
—
—
v
收集器–发射器 击穿 电压 bc856 系列
(我
c
= –10
µ
一个, v
eb
= 0) bc857 系列
bc858 系列
v
(br)消费电子展
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
v
收集器–底座 击穿 电压 bc856 系列
(我
c
= –10
m
一个) bc857 系列
bc858 系列
v
(br)cbo
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
v
发射器–底座 击穿 电压 bc856 系列
(我
e?
= –1.0
m
一个) bc857 系列
bc858 系列
v
(br)ebo
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
v
收集器 截止 电流 (v
cb
= –30 v)
收集器 截止 电流(v
cb
= –30 v, t
一个
= 150
°
c)
我
CBO
—
—
—
—
–15
–4.0
不适用
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 入点
热 包层 是 一个 已注册 商标 的 这 bergquist 公司.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 bc856awt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
bc856awt1,bwt1
bc857awt1,bwt1
bc858awt1,bwt1,
CWT1
摩托罗拉 首选 设备
案例 419–02, 风格 3
sot–323/sc–70
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
1
底座
2
发射器
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