1/70june 2003
m58cr064c, m58cr064d
m58cr064p, m58cr064q
64 mbit (4mb x 16, 双 bank, burst )
1.8v 供应 flash 记忆
特性 summary
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供应 电压
–V
DD
= 1.65v 至 2v 为 程序, 擦掉 和
读
–V
DDQ
= 1.65v 至 3.3v 为 i/o 缓存区
–V
PP
= 12v 为 快 程序 (optional)
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同步的 / 异步的 读
– 同步的 burst 读 模式 : 54mhz
– 异步的/ 同步的 页 读
模式
– 随机的 进入: 85,90, 100, 120ns
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程序编制 时间
– 10µs 用 文字 典型
– 翻倍/quadruple 文字 程序 选项
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记忆 blocks
– 双 bank 记忆 排列: 16/48 mbit
– 参数 blocks (顶 或者 bottom location)
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双 行动
– 程序 擦掉 在 一个 bank 当 读 在
其它
– 非 延迟 在 读 和 写 行动
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块 locking
– 所有 blocks 锁 在 电源 向上
– 任何 结合体 的 blocks 能 是 锁
–WP
为 块 锁-向下
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安全
– 128 位 用户 可编程序的 otp cells
– 64 位 唯一的 设备 号码
– 一个 参数 块 permanently lockable
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一般 flash 接口 (cfi)
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
图示 1. 包装
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电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号, m58cr064c: 88cah
– bottom 设备 代号, m58cr064d: 88cbh
– 顶 设备 代号, m58cr064p: 8801h
– bottom 设备 代号, m58cr064q: 8802h
FBGA
tfbga56 (zb)
6.5 x 10mm
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