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资料编号:918356
 
资料名称:2N6284
 
文件大小: 64K
   
说明
 
介绍:
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2N6284的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
技术类 数据
npn darlington 电源 硅 晶体管
合格 按 密耳-prf-19500/504
设备 合格 水平
2N6283 2N6284
JAN
JANTX
JANTXV
最大值 额定值
额定值 符号 2N6583 2N6284 单位
收集器-发射器 电压
v
CEO
80 100 Vdc
讲师-底座 电压
v
CBO
80 100 Vdc
发射器-底座 电压
v
EBO
7.0 Vdc
底座 电流
B
0.5 adc
收集器 电流
c
20 adc
合计 电源 耗散
(1)
@ t
c
= +25
0
c
@ t
c
= +100
0
c
p
t
175
87.5
w
w
操作 &放大器; 存储 接合点 温度 范围
t
j
,
t
stg
-65 至 +200
0
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点--案例
θ
jc
0.857
0
c/w
1)降额 线性 @ 1.17 w/
0
c 以上 t
c
> +25
0
c
*see 附录 一个 用于
包装 大纲
电气 特性 (t
c
= 25
0
c除非 否则 已注明)
特性
符号 最小值 最大值 单位
关 特性
收集器-发射器 击穿 电压
c
= 100 madc2N6283
2N6284
v
(br)
CEO
80
100
Vdc
收集器-发射器 截止 电流
v
ce
= 40 vdc2N6283
v
ce
= 50 vdc2N6284
CEO
1.0
1.0
mAdc
收集器-发射器 截止 电流
v
ce
= 80 vdc, v
= 1.5 vdc2N6283
v
ce
= 100 vdc, v
= 1.5 vdc2N6284
CEX
5.0
5.0
mAdc
发射器-底座 截止 电流
v
eb
= 7.0 vdc
EBO
2.5 mAdc
6 lake 街道, lawrence, ma01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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