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TrenchFET
电源 场效应晶体管
高级 高 细胞 密度 流程
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Si4425BDY
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 72000
s-21862—rev. b, 21-oct-02
www.vishay.com
1
p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.012 @ v
gs
= -10 v
-1 1.4
-30
0.019 @ v
gs
= -4.5 v - 9.1
sd
s
d
sd
g
d
所以-8
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2
3
4
1
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
-30
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
一个
t
一个
= 25
c
- 11.4
-8.8
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
- 9.1 -7.0
脉冲 排水管 电流 我
dm
-50
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
-2.1 -1.3
t
一个
= 25
c 2.5 1.5
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6 0.9
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
t
10 秒 40 50
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
70 85
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
15 18
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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