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资料编号:95025
 
资料名称:MSM56V16800D
 
文件大小: 340.16K
   
说明
 
介绍:
2-Bank x 1,048,576-Word x 8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
¡ 半导体
msm56v16800d/dh
1/30
描述
这 msm56v16800d/dh 是 一个 2-银行
¥
1,048,576-字
¥
8-有点 同步 动态 ram,
预制 入点 oki's cmos 硅栅 流程 技术. 这 设备 操作 在 3.3 v. 这
输入 和 产出 是 lvttl 兼容.
特点
硅 闸门, 四联 多晶硅 cmos, 1-晶体管 记忆 细胞
2-银行
¥
1,048,576-字
¥
8-有点 配置
3.3 v 电源 供应,
±
0.3 v 公差
输入 : lvttl 兼容
输出 : lvttl 兼容
刷新 : 4096 循环次数/64 ms
可编程 数据 转让 模式
cas
延迟 (1, 2, 3)
cas
延迟 (2, 3)*
1
– 突发 长度 (1, 2, 4, 8)*
1
– 数据 scramble (顺序, 交错)
*
1
: h 版本 仅.
cbr 自动-刷新, 自刷新 能力
包装:
44-管脚 400 密耳 塑料 tsop (类型 二) (tsopii44-p-400-0.80-k) (产品 : msm56v16800d/dh-xxts-k)
xx 表示 速度 等级.
产品 家庭
¡ 半导体
msm56v16800d/dh
2-银行
¥
1,048,576-字
¥
8-有点 同步 动态 ram
初步
家庭
访问权限 时间 (最大值.)
msm56v16800d-10
msm56v16800d-12
msm56v16800dh-15
最大值
频率
100 mhz
83 mhz
66 mhz
9 ns
14 ns
9 ns
t
AC2
t
AC3
9 ns
10 ns
9 ns
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