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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
1-888-intersil 或者 321-724-7143 | 版权 © intersil 公司 1999
ACTS373MS
辐射 硬化
octal transparent 获得, 三-状态
Pinouts
20 含铅的 陶瓷的 双-在-线条
mil-标准-1835 designator, cdip2-t20, 含铅的 完成 c
顶 视图
20 含铅的 陶瓷的 flatpack
mil-标准-1835 designator, cdfp4-f20, 含铅的 完成 c
顶 视图
11
12
13
14
15
16
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18
20
19
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D3
D2
Q3
地
VCC
D7
D6
Q6
Q7
Q5
D5
D4
Q4
LE
2
3
4
5
6
7
8
120
19
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OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
9
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12
11
Q3
地
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
april 1995
真实 表格
OE LE D Q
LHHH
LHLL
LL I L
LLhH
HXXZ
便条:
L = 低 电压 水平的
H = 高 电压 水平的
x = don’t 小心
z = 高 阻抗 状态
I = 低 电压 水平的 一个 设置-向上 时间 较早的 至 这 高 至 低 获得 使能 转变
h = 高 电压 水平的 一个 设置-向上 时间 较早的 至 这 高 至 低 获得 使能 转变
函数的 图解
DQ
LE
D
LE
Q
OE
获得
一般
OE
1 的 8
(3, 4, 7, 8, 13,
14, 17, 18)
(2, 5, 6, 9, 12,
15, 16, 19)
(1)
(11)
控制
订货 信息
部分 号码 温度 范围 放映 水平的 包装
ACTS373DMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类 s 相等的 20 含铅的 sbdip
ACTS373KMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类 s 相等的 20 含铅的 陶瓷的 flatpack
acts373d/样本 +25
o
C 样本 20 含铅的 sbdip
acts373k/样本 +25
o
C 样本 20 含铅的 陶瓷的 flatpack
ACTS373HMSR +25
o
C 消逝 消逝
规格 号码
518800
文件 号码
4000
特性
• 1.25 micron 辐射 hardened sos cmos
• 总的 剂量 300k rad (si)
• 单独的 事件 upset (seu) 免除
<1 x 10
-10
errors/位-日 (典型值)
• seu let 门槛 >80 mev-cm
2
/mg
• 剂量 比率 upset >10
11
rad (si)/s, 20ns 脉冲波
• 获得-向上 自由 下面 任何 情况
• 军队 温度 范围: -55
o
c 至 +125
o
C
• significant 电源 减少 对照的 至 alsttl 逻辑
• 直流 运行 电压 范围: 4.5v 至5.5v
• 输入 逻辑 水平
- vil = 0.8v 最大值
- vih = vcc/2v 最小值
• 输入 电流
≤
1
µ
一个 在 vol, voh
描述
这 intersil acts373ms 是 一个 辐射 硬化 octal transpar-
ent 获得 和 三-状态 输出. 这 输出 是 transparent 至
这 输入 当 这 获得 使能 (
le) 是 高. 当 这 le 变得
低, 这 数据 是 latched. 当 这 输出 使能 (
oe) 是 高,
这 输出 是 在 这 高 阻抗 状态. 这 获得 运作
是 独立 的 这 状态 的 这 输出 使能.
这 acts373ms 运用 先进的 cmos/sos 技术 至
达到 高-速 运作. 这个 设备 是 一个 成员 的 这
辐射 硬化, 高-速, cmos/sos 逻辑 家族.
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