DS1225Y
64k nonvolatile sram
DS1225Y
021998 1/8
特性
•
10 年 最小 数据 保持 在 这 absence 的
外部 电源
•
数据 是 automatically 保护 在 电源 丧失
•
直接地 替代 8k x 8 易变的 静态的 内存 或者 ee-
PROM
•
unlimited 写 循环
•
低-电源 cmos
•
电子元件工业联合会 标准 28–pin 插件 包装
•
读 和 写 进入 时间 作 快 作 150 ns
•
全部
±
10% 运行 范围
•
optional 工业的 温度 范围 的 –40
°
c 至
+85
°
c, designated ind
管脚 分派
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
地
VCC
NC
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
我们
OE
CE
28–pin encapsulated 包装
720 mil 扩展
管脚 描述
A0–A12 – 地址 输入
DQ0–DQ7 – 数据 在/数据 输出
CE
– 碎片 使能
我们 – 写 使能
OE – 输出 使能
V
CC
– 电源 (+5v)
地 – 地面
NC – 非 连接
描述
这 ds1225y 64k nonvolatile sram 是 一个 65,536–bit,
全部地 静态的, nonvolatile 内存 有组织的 作 8192 words
用 8 位. 各自 nv sram 有 一个 self–contained lithium
活力 源 和 控制 电路系统 这个 constantly
monitors v
CC
为 一个 out–of–tolerance 情况. 当
此类 一个 情况 occurs, 这 lithium 活力 源 是
automatically 切换 在 和 写 保护 是 uncon-
ditionally 使能 至 阻止 数据 corruption. 这 nv
sram 能 是 使用 在 放置 的 存在 8k x 8 srams
直接地 conforming 至 这 popular bytewide 28–pin 插件
标准. 这 ds1225y 也 matches 这 引脚 的 这
2764 非易失存储器 或者 这 2864 可擦可编程只读存储器, 准许 直接
substitution 当 enhancing 效能. 那里 是 非
限制 在 这 号码 的 写 循环 那 能 是 executed
和 非 额外的 支持 电路系统 是 必需的 为 微观的-
处理器 接合.
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