HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
5/29/01
所以-8
V
DSS
= 20v
R
ds(在)
= 0.029
Ω
IRF7311
描述
标识 最大 单位
流-源 电压 V
DS
20
门-源 电压 V
GS
± 12
T
一个
= 25°c 6.6
T
一个
= 70°c 5.3
搏动 流 电流 I
DM
26
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
2.5
T
一个
= 25°c 2.0
T
一个
= 70°c 1.3
单独的 脉冲波 avalanche 活力
E
作
100 mJ
avalanche 电流 I
AR
4.1 一个
repetitive avalanche 活力 E
AR
0.20 mJ
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
dv/dt 5.0 v/ ns
接合面 和 存储 温度 范围 T
j,
T
STG
-55 至 + 150 °C
热的 阻抗 比率
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
62.5
°c/w
绝对 最大 比率
( t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
持续的 流 电流
最大 电源 消耗
一个
I
D
P
D
V
W
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
双 n-频道 场效应晶体管
表面 挂载
全部地 avalanche 评估
pd - 91435c
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