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资料编号:211473
 
资料名称:CA3096
 
文件大小: 133.04K
   
说明
 
介绍:
NPN/PNP Transistor Arrays
 
 


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3
I
CEO
V
CE
= -10v,
I
B
= 0
- -0.12 -1000 - -0.12 -100 - -0.12 -1000 nA
V
(br)ceo
I
C
= -100
µ
一个,
I
B
= 0
-40 -75 - -40 -75 - -24 -30 - V
V
(br)cbo
I
C
= -10
µ
一个,
I
E
= 0
-40 -80 - -40 -80 - -24 -60 - V
V
(br)ebo
I
E
= -10
µ
一个,
I
C
= 0
-40 -100 - -40 -100 - -24 -80 - V
V
(br)elo
I
EI
= 10
µ
一个,
I
B
= i
C
= 0
40 100 - 40 100 - 24 80 - V
V
ce sat
I
C
= -1ma,
I
B
= -100
µ
一个
- -0.16 -0.4 - -0.16 -0.4 - -0.16 -0.4 V
V
(便条 4) I
C
= -100
µ
一个,
V
CE
= -5v
-0.5 -0.6 -0.7 -0.5 -0.6 -0.7 -0.5 -0.6 -0.7 V
h
FE
(便条 4) I
C
= -100
µ
一个,
V
CE
= -5v
40 85 250 40 85 250 30 85 300
I
C
= -1ma,
V
CE
= -5v
20 47 200 20 47 200 15 47 200
|
V
/
t| (便条 4) I
C
= -100
µ
一个,
V
CE
= -5v
- 2.2 - - 2.2 - - 2.2 - mv/
o
C
I
CBO
集电级-截止 电流 V
Z
发射级-至-根基 齐纳 电压
I
CEO
集电级-截止 电流 V
ce sat
集电级-至-发射级 饱和 电压
V
(br)ceo
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
根基-至-发射级 电压
V
(br)cbo
集电级-至-根基 损坏 电压 h
FE
直流 向前-电流 转移 比率
V
(br)cio
集电级-至-基质 损坏 电压 |
V
/
T| 巨大 的 温度 系数:
(为 各自 晶体管)
V
(br)ebo
发射级-至-根基 损坏 电压
便条:
4. 真实的 forcing 电流 是 通过 这 发射级 为 这个 测试.
电的 specifications
为 设备 设计 在 t
一个
= 25
o
c (ca3096a 仅有的)
参数 标识 测试 情况
CA3096A
UNITSMIN 典型值 最大值
为 晶体管 q
1
和 q
2
(作 一个 差别的 放大器)
绝对 输入 补偿 电压 |V
IO
|V
CE
= 5v, i
C
= 1ma - 0.3 5 mV
绝对 输入 补偿 电流 |I
IO
| - 0.07 0.6
µ
一个
绝对 输入 补偿 电压
温度 系数
- 1.1 -
µ
v/
o
C
为 晶体管 q
4
和 q
5
(作 一个 差别的 放大器)
绝对 输入 补偿 电压 |V
IO
|V
CE
= -5v, i
C
= -100
µ
一个
R
S
= 0
- 0.15 5 mV
绝对 输入 补偿 电流 |I
IO
| - 2 250 nA
绝对 输入 补偿 电压
温度 系数
- 0.54 -
µ
v/
o
C
电的 specifications
为 设备 设计, 在 t
一个
= 25
o
C
(持续)
参数
测试
情况
CA3096 CA3096A CA3096C
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
V
IO
T
------------------
V
IO
T
------------------
ca3096, ca3096a, ca3096c
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