本电路使用了面接型N沟道FET，是一种由完善的推挽电路组成的缓冲放大器，能够缩短上升和下降的时间，及用在要求频带宽、转换速度快、输入阻抗高、输出阻抗低的电路中。

TT1和TT2为N沟道、P沟道的FET，他们的VGB与ID关系特性必须相同，否则输出、输入之间就会产生失调电压。如果本电路用在OP放大器等的反馈电路中，失调电压则可忽略不计。

面接型FET的栅-源电压直接成为输出电路基极射极间的偏压。输出电路基极-基极之间大约需要1.5V，因此必须选用漏极饱和电流IBSS相等的FET增加。TT3的目的是使FET的偏差不至造成输出级的偏流发生变化。当要求用更高的速度工作时，应尽量加大电流，使输出级始终在线性范围内工作。

根据最大集电极电流和允许功耗选择输出晶体管，应选用FT高、COB小的器件。

虽然本电路从原理来看比较理想，但是输入级使用的FET（TT1.2）的VGB与ID的关系特性如发生偏差、会使工作点发生变化，所以必须选择合适的漏极饱和电流。并加以控制。