IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%，大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ，最大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ，可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷，也具有DirectFET封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。

产品规格

器件编号 BVDSS (V) 10V下的

典型RDS(on) (m? 4.5V下的

典型RDS(on) (m) VGS (V) 4.5V下的

典型QG (nC) 4.5V下的

典型QGD (nC)

IRF6728M 30 1.8 2.8 +/-20 28 8.7

IRF6708S2 30 7.5 12.0 +/-20 6.6 2.2

产品详细数据及应用说明可浏览IR网页www.irf.com。

新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，现已接受批量订单。