首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 电路图:    3万份资料
您现在的位置:首页 >  电路图 芯片中文资料列表  
 
 
介绍:

IGBT的栅极出现过压的原因:
      1.静电聚积在栅极电容上引起过压.
      2.电容密勒效应引起的栅极过压.
      为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千欧的电阻,如上图所示.此电阻应尽量靠近栅极与发射极.


 

 

 
 

更多 110
关于我们 | 联系我们 | IC列表库索引1 | IC列表库索引2 | IC列表库索引3 | IC列表库索引4 |
深  圳13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com