 下面是[可控硅整流电路,可控硅整流电路工作原理]的电路图可控硅整流电路 | 一、单相半波可控整流电路电路和波形如图1所示，设u2= U2sinω。
正半周：
0＜t＜t1,ug=0,T正向阻断，id=0,uT=u2,ud=0
t=t时,加入ug脉冲，T导通，忽略其正向压降，uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。
负半周：
π≤t＜2π当u2自然过零时，T自行关断而处于反向阻断状态，ut=0,ud=0,id=0。
从0到t1的电度角为α，叫控制角。从t1到π的电度角为θ，叫导通角，显然
α+θ=π。当α=0，θ=180度时，可控硅全导通，与不控整流一样，当α=180度，θ=0度时，可控硅全关断，输出电压为零。 |
 图1、单相半波可控整流 |
| I=U/Rd=(U2/Rd) |  ---------------------------------式4 |
| 由于电源提供的有功功率P=UI，电源视在功率S=U2I（U2是电源电压有效值），所以功率因数： |
| cosψ=P/S= | -------------------------------------式5 |
由上式可见，功率因数cosψ也是α的函数，当α=0时，cosψ=0.707。显然，对于电阻性负载，单相半波可控整流的功率因数也不会是1。
比值Ud/U、I/Id和cosψ随α的变化数值，见表一，它们相应的关系曲线，如图2所示
表一 Ud/U、I/Id和cosψ的关系 |
α | 0° | 30° | 60° | 90° | 120° | 150° | 180° | Ud/U
I/Id
cosψ | 0.45
1.57
0.707 | 0.42
1.66
0.698 | 0.338
1.88
0.635 | 0.225
2.22
0.508 | 0.113
2.87
0.302 | 0.03
3.99
0.12 | 0
-
0 |
|
 图2、单相半波可控整流的电压、电流及功率因数与控制角的关系 |
| 由于可控硅T与Rd是串联的，所以，流过Rd的有效值电流I与平均值电流Id的比值，也就是流过可控硅T的有效值电流IT与平均值电流IdT的比值，即I/Id=It/IdT。 |
 图3、单相桥式半控整流 |
t1时刻加入ug1，T1导通，电流通路如图实线所示。uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。u2过零时，T1自行关断。
负半周：
t2时刻加入ug2，T2导通，电流通路如图虚线所示，uT2=0，ud=-u2,ut1=u2。u2过零时T2自行关断。
2、各电量关系
由图3可见，ud波形为非正弦波，其幅值为半波整流的两倍，所以Rd上的直流电压Ud:
Ud=0.9U2[(1+cosα)/2]--------------------------式6
直流电流Id:
Id=Ud/Rd=0.9(u2/Rd)×[(1+cosα)/2]-------------式7
电压有效值U： |
 --------------------------式8 |
 --------------------------式9 |
| cosψ= |  ------------------------式10 |
比值Ud/U,I/Id和cosψ随α的变化数值见表二，相应关系曲线见图4
表二、 Ud/U、I/Id、cosψ与α的关系表 |
α | 0° | 30° | 60° | 90° | 120° | 150° | 180° | Ud/U
I/Id
cosψ | 0.9
1.112
1 | 0.84
1.179
0.985 | 0.676
1.335
0.896 | 0.45
1.575
0.717 | 0.226
1.97
0.426 | 0.06
2.835
0.169 | 0
-
0 |
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 图4、单相全波和桥式电路电压、电流及功率因数与控制角的关系 |
把单相全波整流单相半波整流进行比较可知：
（1）当α相同时，全波的输出直流电压比半波的大一倍。
（2）在α和Id相同时，全波的电流有效值比半波的减小倍。
（3）α相同时，全波的功率因数比半波的提高了 |
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-------------------------------------式3