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| 介绍: |
在大屏幕直视型平板显示器中，需要高达200V的电压来对等离子体(PDP)进行电离、提取电子(FED)和旋转或激励微粒(EL)，以及抵消因为行电阻而产生的寄生阻抗和电感 某些应用，如等离子显示器中的行驱动器，还需要高达3A的电流，如此高的电流会导致很高的电阻损耗以及过多的功耗
这些损失主要是因为输出驱动器晶体管在导通状态的电阻(Ron)造成，当最大处理电压增加时该损耗增加为降低Ron，设计师要么增加输出器件的尺寸，要么对输出器件进行过驱动，然而随着光刻工艺尺寸的减小，实现会变得更加困难也可以用绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)来减少大电流下的等效Ron
除了优化驱动器输出级的电流/电压性能，IC设计师需要使寄生电流损耗最小寄生电流是因为转移电流从应用侧流过器件而产生的该电流流过内部体二极管，流到高电压电源或从地流出，并导致器件产生额外的功耗设计师需要确保尽量少的电流分别注入或转移到衬底，或从电源输出，以避免驱动器的损坏(闭锁)
最后一点值得注意的是，由显示IC实现的逻辑功能越来越重要，每个驱动器芯片输出的不断增加需要逻辑部分的更高逻辑密度和速度所有的大屏幕直视显示器驱动器在输入端内置控制电路，大多数这些芯片还在输出级集成转换器 |
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