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介绍:
   生产商:瑞萨科技 Renesas Technology

产品说明:

用于高速、低功耗可合成DSP核系统级芯片(SoC)器件的新型DSP核采用了一种包括饱和预测器电路的新型饱和处理方法,以及可提高运行速度的分层结构布局技术。

用于新型特大指令字组(VLIW)型可合成DSP核的测试芯片已采用90nm CMOS工艺制造成功。该内核可在1.2V电源电压条件下实现1.047GHz的最高工作频率。在该速度条件下执行一次128点(tap)远红外(FIR)滤波器操作的功耗仅为0.10mW/MHz,内核的硅片面积非常小巧:约为0.5mm2。

这种DSP核将嵌入在瑞萨的各种SoC器件中,以满足电子产品和系统的下一代多媒体处理应用需求。

 
 

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