下面是[全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图]的电路图

全桥驱动器UBA2030T及其应用电路图

1前言

飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T，是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件，即可组成高强度放电（HID）灯电子镇流器电路，并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案。

2封装、内部结构及引脚功能

UBA2030T采用24脚SO封装，顶视图如图1所示。

UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端（左、右）和低端（左、右）驱动器及控制逻辑等电路，其内部结构框图如图2所示。

表1列出了UBA2030T的引脚功能。

2主要参数及特点

2.1主要参数

UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列。

2.2主要特点 
 
 

 

图1SO24封装顶视图

UBA2030T的主要特点如下：

内置自举二极管，用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度；

高压输入直达570V，为驱动内部电路和全桥

 

图2UBA2030T的内部结构框图

表1引脚功能

脚号	符号	功能描述
1	GLR	低端右边MOSFET的栅极驱动器输出
2	PGND	低端左、右MOSFET的源极功率地
3	GLL	低端左边MOSFET的栅极驱动器输出
4,6,9,16,17,19	n.c.	不连接
5	RC	内部振荡器RC输入
7	BE	控制输入使能
8	BER	桥路参考输入使能
10	FSL	浮置电源电压左边输出
11	GHL	高端左边MOSFET栅极驱动器输出
12	SHL	高端左边MOSFET源极
13	SHR	高端右边MOSFET源极
14	GHR	高端右边MOSFET栅极驱动器输出
15	FSR	浮置电源电压右边输出
18	HV	高压电源输入
20	EXO	外部振荡器输入
21	SD	关闭输入
22	DTC	死区时间控制输入
23	VDD	内部（低压）电源
24	SGND	信号地

表2主要参数及参考数据

符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
高压
VHV	高压电源（电压）		0	－	570	V
启动（经脚HV施加）
Istrtu	启动电流		－	0.7	1.0	mA
Vth(osc,strt)	启动振荡门限电压	在fbridge=500Hz下，无载	14.0