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©
1991, 2000
mos 地方 效应 晶体管
2SK1399
n-频道 mos 地方 效应 晶体管
为 高 速 切换
数据 薄板
文档 非. d14770ej2v0ds00 (2nd 版本)
(previous 非.tc-2343)
日期 发行 march 2000 ns cp(k)
打印 在 日本
这 mark
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★★
★
显示 主要的 修订 点.
描述
这 2sk1399 是 一个 n-频道 vertical 类型 mos 场效应晶体管 这个 能 是
驱动 用 2.5-v 电源 供应.
这 2sk1399 是 驱动 用 低 电压 和 做 不 需要 仔细考虑
的 驱动 电流, 它 是 合适的 为 器具 包含 vcr cameras 和
headphone stereos 这个 需要 电源 节省.
特性
•
能 是 驱动 用 一个 3.0-v 电源 源
•
不 需要 至 考虑 驱动 电流 因为 的 它 是 高 输入
阻抗
•
可能 至 减少 这 号码 的 部分 用 omitting 这 偏差 电阻
•
能 是 使用 complementary 和 这 2sj185
订货 信息
部分 号码 包装
2SK1399 sc-59 (迷你 模型)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 V
DSS
50 V
门 至 源 电压 V
GSS
±7.0 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±100 毫安
流 电流 (脉冲波)
便条
I
d(脉冲波)
±200 毫安
总的 电源 消耗 P
T
200 mW
频道 温度 T
ch
150 °C
运行 温度 T
opt
–55 至 +80 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
便条
PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
50 %
Remark
强 electric 地方, 当 exposed 至 这个 设备, 能 导致 destruction 的 这 门 oxide 和 ultimately
降级 这 设备 运作. 步伐 必须 是 带去 至 停止 一代 的 静态的 electricity 作 更 作
可能, 和 quickly dissipate 它 once, 当 它 有 occurred.
包装 绘画 (单位 : mm)
2.8 ± 0.2
1.5
0.65
0.95
0.3
0.95
2.9 ± 0.2
1.1 至 1.4
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
2
1
3
+0.1
–0.05
0.4
+0.1
–0.05
0.4
标记
+0.1
–0.15
相等的 电路
源
内部的
二极管
门
保护
二极管
标记: g12
门
流
Electrode
连接
1.源
2.门
3.流
★