硅 mos 场效应晶体管 电源 放大器, 820-851mhz, 6w, fm 可携带的 无线电
M68701
mitsubishi rf 电源 单元
十一月 ´97
8.3±1
43.3±1
21.3±1
50.4±1
51.3±1
外形 绘画
管脚:
P在 : rf 输入
VGG : 门 偏差 供应
VDD : 流 偏差 供应
PO : rf 输出
地: fin
维度 在 mm
1
2
3
4
5
标识 参数 测试 情况
限制
最小值 最大值
单位
f
PO
η
T
2fO
ρ
在
-
频率 范围
输出 电源
总的 效率
2nd. 调和的
输入 vswr
加载 vswr 容忍
VDD=12.5v,
VGG=5v,
P在=1mW
VDD=15.2v, p在=1mw,
PO=6w (vGG调整), zL=20:1
820 851
6
35
-30
非 降级 或者
destroy
MHz
W
%
dBc
-
-
便条. 在之上 参数, 比率, 限制 和 测试 情况 是 主题 至 改变.
电的 特性
(tc=25
°
c,zG=ZL=50
Ω
除非 否则 指出)
标识 参数 情况 比率 单位
绝对 最大 比率
(tc=25
°
c 除非 否则 指出)
便条. 在之上 参数 是 有保证的 independently.
V17VDD 供应 电压
v5.5vGG 门 偏差 电压
mW10P在 输入 电源
W10PO 输出 电源
°
c-30 至 +100tc (运算) 运作 情况 温度
°
c-40 至 +100tstg 存储 温度
VGG
≤
3.5v, zG=ZL=50
Ω
f=820-851mhz, zG=ZL=50
Ω
f=820-851mhz, zG=ZL=50
Ω
f=820-851mhz, zG=ZL=50
Ω
稳固
4
60.5±1
57.5±0.5
1
2
3 4
5
0.45±0.2
ZG=ZL=50
Ω
, vDD=10-16v,
加载 vswr
<
4:1
-
-
非 parasitic 振动
2-r1.6
+0.2
0
块 图解
4
5
32
1
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