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资料编号:492771
 
资料名称:MUN2133T1
 
文件大小: 236.97K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
 
 


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1
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PIN3
集电级
(输出)
PIN1
发射级
(地面)
PIN2
根基
(输入)
R1
R2
1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
pnp 硅 表面 挂载 晶体管 和
大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独的
晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基
电阻 和 一个 base–emitter 电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件
用 integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少 两个都 系统
费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sc–59 包装 这个 是 设计
为 低 电源 表面 挂载 产品.
使简化 电路 设计
减少 组件 计数
这 sc–59 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接.
这 修改 gull–winged leads absorb 热的 压力 在
焊接 eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝.
有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 单位
collector–base 电压 V
CBO
50 Vdc
collector–emitter 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
*200
1.6
mW
mw/
°
C
热的 特性
热的 阻抗 — junction–to–ambient (表面 挂载) R
θ
JA
625
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
65 至 +150
°
C
最大 温度 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
(2)
6A
6B
6C
6D
6E
10
22
47
10
10
10
22
47
47
MUN2116T1
(2)
MUN2130T1
(2)
MUN2131T1
(2)
MUN2132T1
(2)
MUN2133T1
(2)
MUN2134T1
(2)
6F
6G
6H
6J
6K
6L
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
2.2
4.7
47
47
1. 设备 挂载 在 一个 fr–4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 新 设备. updated 曲线 至 follow 在 subsequent 数据 薄板.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mun2111t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
pnp 硅
偏差 电阻
晶体管
motorola preferred 设备
情况 318d–03, 样式 1
(sc–59)
MUN2111T1
序列
2
1
3
motorola, 公司 1996
rev 5
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