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I
dAVM
= 40 一个
V
RRM
= 800-1600 v
V
RSM
V
RRM
类型
V
DSM
V
DRM
VV
900 800 vhf 36-08io5
1300 1200 vhf 36-12io5
1500 1400 vhf 36-14io5
1700 1600 vhf 36-16io5
数据 符合 至 iec 60747 和 谈及 至 一个 单独的 thyristor/二极管 除非 否则 陈述.
①
为 resistive 加载
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
标识 测试 情况 最大 比率
I
dAV
T
K
= 85
c, 单元 36 一个
I
dAVM
①
单元 40 一个
I
FRMS
, i
TRMS
每 leg 28 一个
I
FSM
, i
TSM
T
VJ
= 45
c; t = 10 ms (50 hz), sine 320 一个
V
R
= 0 v t = 8.3 ms (60 hz), sine 350 一个
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 280 一个
V
R
= 0 v t = 8.3 ms (60 hz), sine 310 一个
I
2
t
T
VJ
= 45
C t = 10 ms (50 hz), sine 500 一个
2
s
V
R
= 0 v t = 8.3 ms (60 hz), sine 520 一个
2
s
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 390 一个
2
s
V
R
= 0 v t = 8.3 ms (60 hz), sine 400 一个
2
s
(di/dt)
cr
T
VJ
= 125
C repetitive, i
T
= 50 一个 150 一个/
s
f =50 hz, t
P
=200
s
V
D
= 2/3 v
DRM
I
G
= 0.3 一个, 非 repetitive, i
T
= 1/2 • i
dAV
500 一个/
s
di
G
/dt = 0.3 一个/
s
(dv/dt)
cr
T
VJ
= t
VJM
; v
DR
= 2/3 v
DRM
1000 v/
s
R
GK
=
; 方法 1 (直线的 电压 上升)
V
RGM
10 V
P
GM
T
VJ
= t
VJM
t
p
= 30
s
10 W
I
T
= i
TAVM
t
p
= 500
s
5W
t
p
= 10 ms
1W
P
GAVM
0.5 W
T
VJ
-40...+125
C
T
VJM
125
C
T
stg
-40...+125
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 3000 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3600 V~
M
d
挂载 torque (m5) 2-2.5 Nm
(10-32 unf) 18-22 lb.在.
重量
50 g
特性
●
包装 和 dcb 陶瓷的 根基 加设护板
●
分开 电压 3600 v~
●
planar 钝化的 碎片
●
¼" 快-在 terminals
●
ul 注册 e 72873
产品
●
供应 为 直流 电源 设备
●
直流 发动机 控制
有利因素
●
容易 至 挂载 和 二 screws
●
空间 和 重量 savings
●
改进 温度 和 电源
cycling
维度 在 mm (1 mm = 0.0394")
vhf 36
half 控制
单独的 阶段 整流器 桥
和 freewheeling 二极管
1
2
3
6
8
4
2
8
6
4
31
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