额外的刺激 设备 模型 sum110n08-05
vishay siliconix
这个 文档 是 将作 一个 额外的刺激 modeling 指导原则 和 做不 组成 一个 商业的 产品 数据 薄板. designers should 谈及 至 这 适合的
数据 薄板 的 这 一样 号码 for 有保证的 明确的ation 限制.
文档 号码: 70511 www.vishay.com
09-六月-04
1
n-频道 75-v (d-s) 200°c 场效应晶体管
特性
•
n-频道 vertical dmos
•
macro 模型 (subcircuit 模型)
•
水平的 3 mos
•
应用 为 两个都 直线的 和 切换 应用
•
精确 在 这
−
55 至 125
°
c 温度 范围
•
模型 这 门 承担, 瞬时, 和 二极管 反转 恢复
特性
描述
这 连结 额外的刺激 模型 describes 这 典型 电的
特性 的 这 n-频道 vertical dmos. 这 subcircuit
模型 是 提取 和 优化 在 这
−
55 至 125
°
C
温度 范围 下面 这 搏动 0 至 10v 门 驱动. 这
saturated 输出 阻抗 是 最好的 合适 在 这 门 偏差 near 这
门槛 电压.
一个 novel 门-至-流 反馈 capacitance 网络 是 使用 至
模型 这 门 承担 characteristics 当 avoiding convergence
difficulties 的 这 切换 c
gd
模型. 所有 模型 参数 值
是 优化 至 提供 一个 最好的 合适 至 这 量过的 电的 数据
和 是 不 将 作 一个 精确的 物理的 interpretation 的 这
设备.
subcircuit 模型 图式
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