硅 晶体管
特性
• 低 电流 消耗量 和 高 增益
|S
21e
|
2
= 10.5 db
典型值
@ v
CE
= 2 v, i
C
= 7 毫安, f = 2 ghz
|S
21e
|
2
= 9.0 db
典型值
@V
CE
= 1 v, i
C
= 5 毫安, f = 2 ghz
• 过激 超级的 迷你-模型 包装
订货 信息
部分
QUANTITY ARRANGEMENT
号码
2SC5181 50 单位/盒
2sc5181-t1 3 000 单位/卷轴
* 联系 your nec 销售 representatives 至 顺序 样本 为
evaluation (有 在 batches 的 50).
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
°
c)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
5V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
3V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
2V
集电级 电流 I
C
10 毫安
总的 电源 消耗 P
T
30 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
–65 至 +150
°
C
2SC5181
文档 非. p12105ej2v0ds00 (2nd 版本)
(previous 非. tc-2478)
日期 发行 十一月 1996 n
打印 在 日本
©
1994
数据 薄板
npn 外延的 硅 晶体管 在 过激 超级的 迷你-模型 包装
为 低-噪音 微波 放大器
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
3
2
1
1.6 ± 0.1
1.0
0.5 0.5
0.75 ± 0.05
0.6
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
0.2
–0
+0.1
0 至 0.1
84
管脚 连接
1. emitter
2. base
3. 集电级
包装 维度
(单位: mm)
压印浮凸 录音带, 8 mm 宽, 管脚 非. 3
(集电级) facing 这 perforation
提醒;
这个 晶体管 使用 高-频率 技术. 是 细致的 不 至 准许 过度的 电流 至 流动 通过 这 晶体管, 包含 静态的 electricity.
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