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mrf21060r3 mrf21060sr3
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 pcn 和 pcs 根基 station 产品 和 发生率 从
2.1 至 2.2 ghz. 合适的 为 w-cdma,cdma, tdma, gsm 和 multicarrier
放大器 产品.
•
典型 w-cdma 效能: 2140 mhz, 28 伏特
5 mhz 补偿 @ 4.096 mhz bw, 15 dtch
输出 电源 — 6.0 watts
电源 增益 — 12.5 db
流 效率 — 15%
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 28 vdc, 2.11 ghz, 60 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
65 Vdc
门-源 电压 V
GS
-0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
180
0.98
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.02
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 2 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf21060/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF21060R3
MRF21060SR3
2170 mhz, 60 w, 28 v
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
情况 465-06, 样式 1
NI-780
MRF21060R3
情况 465a-06, 样式 1
NI-780S
MRF21060SR3
motorola, 公司 2004
rev 6
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freescale 半导体, 公司
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