mos 地方 效应 电源 晶体管
2SJ494
切换 p-频道 电源 mos 场效应晶体管 工业的 使用
1998©
文档 非. d11266ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 january 1998 n cp(k)
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数据 薄板
描述
这个 产品 是 p-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 高 电流 切换 产品.
特性
• 超级的 低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 50 m
:
最大值 (v
GS
= –10 v, i
D
= –10 一个)
R
ds(在)2
= 88 m
:
最大值 (v
GS
= –4 v, i
D
= –10 一个)
• 低 c
iss
C
iss
= 2360 pf 典型值
• 建造-在 门 保护 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 V
DSS
–60 V
门 至 源 voltage* V
gss (交流)
+20 V
门 至 源 电压 V
gss (直流)
–20, 0 V
流 电流 (直流) I
d (直流)
+20 一个
流 电流 (脉冲波)** I
d (脉冲波)
+80 一个
总的 电源 消耗 (t
C
= 25 °c) P
T
35 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 °c) P
T
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
* f = 20 khz, 职责 循环
d
10% (+side)
** pw
d
10
P
s, 职责 循环
d
1%
热的 阻抗
频道 至 情况 R
th (ch-c)
3.57 °c/w
频道 至 包围的 R
th (ch-一个)
62.5 °c/w
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个
设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding 这 评估 电压
将 是 应用 至 这个 设备.
包装 维度
(在 millimeter)
1. 门
2. 流
3. 源
10.0±0.3
3.2±0.2
2.7±0.2
1.3±0.20.7±0.1
2.54
2.54
1.5±0.2
123
4±0.2
13.5 最小值 12.0±0.2
15.0±0.3
3±0.1
4.5±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
分开的 至-220 (mp-45f)
身体
二极管
源
流
门
门 保护
二极管
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