飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 增强 模式 PHN203
TrenchMOS
TM
晶体管
特性 标识 快 涉及 数据
• 双 设备 V
DS
= 25 v
• 低 门槛 电压
• 快 切换 I
D
= 6.3 一个
• 逻辑 水平的 兼容
• 表面 挂载 包装 R
ds(在)
≤
30 m
Ω
(v
GS
= 10 v)
R
ds(在)
≤
55 m
Ω
(v
GS
= 4.5 v)
一般 描述 固定 sot96-1
n-频道 增强 模式
管脚 描述
地方-效应 电源 晶体管 在 一个
塑料 封套 使用 ’
trench
’ 1 源 1
技术. 这 设备 有 非常
低 在-状态 阻抗. 它 是 2 门 1
将 为 使用 在 直流 至 直流
转换器 和 一般 目的 3 源 2
切换 产品.
4 门 2
这 PHN203 是 有提供的 在 这
sot96-1 (so8) 表面 挂载 5,6 流 2
包装.
7,8 流 1
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
repetitive 顶峰 流-源 T
j
= 25 ˚c 至 150˚c - 25 V
电压
V
DS
持续的 流-源 电压 - 25 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
-25v
V
GS
门-源 电压 -
±
20 V
I
D
流 电流 每 场效应晶体管
1
T
一个
= 25 ˚c - 6.3 一个
T
一个
= 70 ˚c - 5 一个
I
D
流 电流 每 场效应晶体管 (两个都 T
一个
= 25 ˚c - 4.4 一个
mosfets 组织)
1
T
一个
= 70 ˚c - 3.5 一个
I
DM
流 电流 每 场效应晶体管 (脉冲波 T
一个
= 25 ˚c - 25 一个
顶峰 值)
P
tot
总的 电源 消耗 (也 或者 T
一个
= 25 ˚c - 2 W
两个都 mosfets 组织)
1
T
一个
= 70 ˚c - 1.3 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - 55 150 ˚C
d1
g1
s1
d1 d2
g2
d2
s2
1234
5678
管脚 1 index
1
表面 挂载 在 fr4 板, t
≤
10 秒
january 1999 1 rev 1.000
: 点此下载
