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©
1999
mos 地方 效应 晶体管
2SK3324
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. d14203ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 january 2000 ns cp(k)
打印 在 日本
描述
这 2sk3324 是 n-频道 mos 场效应晶体管 设备 那 特性 一个
低 门 承担 和 极好的 切换 特性, 和
设计 为 高 电压 产品 此类 作 切换
电源 供应, 交流 adapter.
特性
•
低 门 承担 :
Q
G
= 32 nc 典型值 (v
DD
= 450 v, v
GS
= 10 v, i
D
= 6.0 一个)
•
门 电压 比率 : ±30 v
•
低 在-状态 阻抗 :
R
ds(在)
= 2.8
Ω
最大值 (v
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个)
•
avalanche 能力 比率
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 °c)
流 至 源 电压 V
DSS
900 V
门 至 源 电压 V
gss(交流)
±30 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±6 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
±18 一个
总的 电源 消耗 (t
C
= 25°c) P
T
120 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25°c) P
T
3.0 W
存储 温度 T
stg
–55 至 + 150 °C
单独的 avalanche 电流
Note2
I
作
6.0 一个
单独的 avalanche 活力
Note2
E
作
21.6 mJ
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
2.
开始 t
ch
= 25 °c, v
DD
= 150 v, r
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 v
→
0 v
订货 信息
部分 号码 包装
2SK3324
至-3p
(至-3p)
这 mark
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