©2004 仙童 半导体 公司
fdw2601nz rev. 一个
12月 2004
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fdw2601nz 双 n-频道 2.5v 指定 powertrench® 场效应晶体管
1
FDW2601NZ
双 n-频道 2.5v 指定 powertrench
®
场效应晶体管
特性
!
8.2a, 30v r
ds(在)
= 0.015
Ω,
V
GS
= 4.5v
r
ds(在)
= 0.020
Ω,
V
GS
= 2.5v
!
扩展
V
GS
范围 (
±
12 v) 为 电池 产品
!
hbm 静电释放 保护 水平的 的 3.5kv 典型 (便条 3)
!
高 效能 trench 技术 为 极其 低
r
ds(在)
!
低 profile tssop-8 包装
产品
!
加载 转变
!
电池 承担
!
电池 disconnect 电路
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 是 生产 使用 仙童
半导体’s 先进的 powertrench 处理 那 有
被 特别 tailored 至 降低 这 在-状态 阻抗
和 还 维持 低 门 承担 为 更好的 切换
效能. 这些 设备 是 好 suited 为 可携带的
electronics 产品.
tssop-8
D1
G1
S1
D2
G2
S2
S2
G2
D2
S2
G1
S1
S1
D1
管脚 1
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