©2001 仙童 半导体 公司 rev. 一个, july 2001
FJAF6910
npn triple diffused planar 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度=5ms, 职责 循环 <10%
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=20
µ
s, 职责 循环=1% 搏动
热的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 1700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 800 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 (直流) 10 一个
I
CP
* 集电级 电流 (脉冲波) 20 一个
P
C
集电级 电源 消耗 60 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CB
=1400v, r
是
=0 1 毫安
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=800v, i
E
=0 10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=4v, i
C
=0 1 毫安
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=500
µ
一个, i
E
=0 1700 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=5ma, i
B
=0 800 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=500
µ
一个, i
C
=0 6 V
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=1A
V
CE
=5v, i
C
=6A
10
710
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=6a, i
B
=1.5a 3 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=6a, i
B
=1.5a 1.5 V
t
STG
* 存储 时间 V
CC
=200v, i
C
=6a, r
L
=33
Ω
I
B1
=1.2a, i
B2
= - 2.4a
4
µ
s
t
F
* 下降 时间 0.3
µ
s
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
jC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 2.08
°
c/w
FJAF6910
高 电压 颜色 显示 horizontal
deflection 输出
• 高 集电级-根基 损坏 电压 : bv
CBO
= 1700v
• 低 饱和 电压 : v
CE
(sat) = 3v (最大值.)
• 高 切换 速 : t
F
(典型值.) =0.15
µ
s
• 为 颜色 监控
至-3pf
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
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