SDU30N03L_集成电路资料查询网

n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
至-252 和 至-251 包装.
绝对 最大 比率  (t
C
=25 c 除非 否则 指出)
samhop 微电子学 corp.
1
产品 summary
V
DSS
I
D
R
ds(在) (m
W
) 典型值
30V
30A
11.5 @ v
GS
= 10v
特性
超级的 高 dense cell 设计 为 低 r
ds(在
).
坚毅的 和 可依靠的.
S
G
D
sdu 序列
至-252aa(d-pak)
sdd 序列
至-251(l-pak)
G
G
S
S
D
D
sdu/d30n03l
热的 特性
热的 阻抗, 接合面-至-情况
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
R
JC
3
50
R
JA
/w
C
/w
C
30
参数 标识
限制 单位
流-源 电压
V
DS
V
门-源 电压
V
GS
V
-搏动
30
I
D
一个
90
I
DM
一个
流-源 二极管 向前 电流 30
I
S
一个
最大 电源 消耗
P
D
W
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
STG
-55  至 175
C
@tc=25 c
减额 在之上 25 c
50
0.3
w/  c
流 电流-持续的     @tj=125 c
一个
20
july, 2002
17 @ v
GS
= 4.5v

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n-频道逻辑水平的增强模式地方效应晶体管至-252 和至-251 包装. 绝对最大比率 (t C =25 c 除非否则指出) samhop 微电子学 corp. 1 产品 summary V DSS I D R ds(在) (m W ) 典型值 30V 30A 11.5 @ v GS = 10v 特性超级的高 dense cell 设计为低 r ds(在 ). 坚毅的和可依靠的. S G D sdu 序列至-252aa(d-pak) sdd 序列至-251(l-pak) G G S S D D sdu/d30n03l 热的特性热的阻抗, 接合面-至-情况热的阻抗, 接合面-至-包围的 R JC 3 50 R JA /w C /w C 30 参数标识限制单位流-源电压 V DS V 门-源电压 V GS V -搏动 30 I D 一个 90 I DM 一个流-源二极管向前电流 30 I S 一个最大电源消耗 P D W 运行和存储温度范围 T J , t STG -55 至 175 C @tc=25 c 减额在之上 25 c 50 0.3 w/ c 流电流-持续的 @tj=125 c 一个 20 july, 2002 17 @ v GS = 4.5v

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