12月 2004
©
2004 仙童 半导体 公司
fdd6680as rev 一个(x)
FDD6680AS
30v n-频道 powertrench
®
SyncFET
™
一般 描述
这 fdd6680as 是 设计 至 替代 一个 单独的
场效应晶体管 和 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流
电源 供应. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至
maximize 电源 转换 efficiency, 供应 一个 低
R
ds(在)
和 低 门 承担. 这 fdd6680as
包含 一个 整体的 肖特基 二极管 使用 仙童’s
大而单一的 syncfet 技术. 这 效能 的
这 fdd6680as 作 这 低-一侧 转变 在 一个
同步的 整流器 是 indistinguishable 从 这
效能 的 这 fdd6680a 在 并行的 和 一个
肖特基 二极管.
产品
•
直流/直流 转换器
•
低 一侧 notebook
特性
•
55 一个, 30 v r
ds(在)
最大值= 10.5 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
最大值= 13.0 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
•
包含 syncfet 肖特基 身体 二极管
•
低 门 承担 (21nc 典型)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
.
G
S
D
至-252
S
G
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
s
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 3)
55 一个
– 搏动
(便条 1a)
100
电源 消耗
(便条 1)
60
(便条 1a)
3.1
P
D
(便条 1b)
1.3
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
2.1
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
40
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1b)
96
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDD6680AS FDD6680AS 13’’ 16mm 2500 单位
fdd6680as fdd6680as_nl
(便条 4)
13’’ 16mm 2500 单位
FDD6680AS
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