1/14march, 21 2003
PD55035
PD55035S
rf 电源 晶体管
这 ldmost
塑料 家族
n-频道 增强-模式 lateral
MOSFETs
•
极好的 热的 稳固
•
一般 源 配置
•
P
输出
= 35 w 和 16.9 db 增益 @ 500 mhz /
12.5 v
•
新 rf 塑料 包装
描述
这 pd55035 是 一个 一般 源 n-频道,
增强-模式 lateral 地方-效应 rf 电源
晶体管. 它 是 设计 为 高 增益, broad 带宽
商业的 和 工业的 产品. 它 运作
在 12 v 在 一般 源 模式 在 发生率 的
向上 至 1 ghz. pd55035 boasts 这 极好的 增益,
线性 和 可靠性 的 st’s 最新的 LDMOS
技术 挂载 在 这 第一 真实 smd 塑料
rf 电源 包装, powerso-10rf. pd55035’s
更好的 线性 效能 制造 它 一个 完美的
解决方案 为 车 mobile 无线电.
这 powerso-10 塑料 包装, 设计 至
提供 高 可靠性, 是 这 第一 st 电子元件工业联合会
批准, 高 电源 smd 包装. 它 有 被
specially 优化 为 rf needs 和 提供
极好的 rf performances 和 使容易 的 组装.
powerso-10rf
(formed 含铅的)
顺序 代号
PD55035
BRANDING
PD55035
powerso-10rf
(笔直地 含铅的)
顺序 代号
PD55035S
BRANDING
PD55035S
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25
°
c)
标识 参数 值 单位
V
(br)dss
流-源 电压 40 V
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 7 一个
P
DISS
电源 消耗 (@ tc = 70
°
c) 95 W
Tj 最大值 运行 接合面 温度 165
°
C
T
STG
存储 温度 -65 至 +150
°
C
热的 数据
R
th(j-c)
接合面 -情况 热的 阻抗 1.0
°
c/w
挂载 recommendations 是 有 在
www.st.com/rf/
(看 为 应用 便条 an1294)
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