二月 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdn308p rev b(w)
FDN308P
p-频道 2.5v 指定 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 2.5v 指定 场效应晶体管 使用 一个 坚毅的
门 版本 的 仙童’s 先进的 powertrench
处理. 它 有 被 优化 为 电源 管理
产品 和 一个 宽 范围 的 门 驱动 电压
(2.5v – 12v).
产品
•
电源 管理
•
加载 转变
•
电池 保护
特性
•
–20 v, –1.5 一个. R
ds(在)
= 125 m
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 190 m
Ω
@ v
GS
= –2.5 v
•
快 切换 速
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
SuperSOT
TM
-3 提供 低 r
ds(在)
和 30% 高等级的
电源 处理 能力 比 sot23 在 这 一样
footprint
G
D
S
supersot -3
TM
D
S
G
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–1.5 一个
– 搏动
–10
最大 电源 消耗
(便条 1a)
0.5
P
D
(便条 1b)
0.46
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
250
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
75
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
308 fdn308p 7’’ 8mm 3000 单位
FDN308P
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