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资料编号:601083
 
资料名称:SD2921-10
 
文件大小: 195.34K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sd2921-10
RF 电源 晶体管
hf/vhf/uhf n-频道 MOSFETs
敷金属
极好的 热的 稳固
一般 配置
POUT = 150W 最小值 12.5 dB 增益 @175
MHz
THERMALLY 增强 包装
更小的 接合面 温度
描述
sd2921-10 一个 metallized n-频道
MOS 地方-效应 RF 电源 晶体管. 正在
用电气 完全同样的 标准 SD2921
场效应晶体管, 使用 50V 直流
信号 产品 向上 200 mhz.
sd2921-10 机械的 兼容
SD2921 但是 提供 增加 一个 更好的 热的
能力 (25% 更小的 热的 阻抗),
representing 最好的-在-类 晶体管 ISM
产品.
管脚 连接
十一月 1999
绝对 最大 比率
(t
情况
=25
o
c)
标识 参数 Value Unit
V
(br)dss
Source 电压 125 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=1M
)
125 V
V
GS
Gate-s我们的ce Voltage
±
20 V
I
D
电流 20 一个
P
DISS
电源 消耗 389 W
T
j
最大值. Operating Junction 温度 200
o
C
T
STG
存储 Temperature -65 150
o
C
热的 数据
R
th(j-c)
R
th(c-s)
接合面-case Thermal 阻抗
情况-散热器 Thermal Resistance
0.45
0.2
o
c/W
o
c/W
* 决定 使用 一个 flat 或者 散热器 热的 复合 应用 (dow Corning 340 或者 相等的).
M174
环氧的 sealed
顺序 代号 BRANDING
sd2921-10 sd2921-10
1. 3.门
2. 4.
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