SKW15N120
电源 半导体
1jul-02
快 igbt 在 npt-技术 和 软, 快 恢复 反对-并行的 emcon 二极管
•
40lower
E
止
对照的 至 previous 一代
•
短的 电路 承受 时间 – 10
µ
s
•
设计 为:
- 发动机 控制
- 反相器
- smps
•
npt-技术 提供:
- 非常 tight 参数 分发
- 高 强壮, 温度 稳固的 behaviour
- 并行的 切换 能力
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :http://www.infineon.com/igbt/
类型
V
CE
I
C
E
止
T
j
包装 订货 代号
SKW15N120 1200V 15A 1.5mj
150
°
C
至-247ac q67040-s4281
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
直流 集电级 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
30
15
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
52
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-
52
二极管 向前 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
32
15
二极管 搏动 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Fpuls
50
一个
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
短的 电路 承受 时间
1)
V
GE
= 15v, 100v
≤
V
CC
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
t
SC
10
µ
s
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
198 W
运行 接合面 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55...+150
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
G
C
E
p-至-247-3-1
(至-247ac)