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双 增强 模式 场效应晶体管 (n-和 p-频道)
版权

anpec electronics corp.
rev. 一个.2 - 将., 2003
www.anpec.com.tw
1
anpec reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 改进 可靠性 或者 manufacturability 没有 注意, 和 advise
客户 至 获得 这 最新的 版本 的 相关的 信息 至 核实 在之前 放置 顺序.
APM4500
•
n-频道
20v/8a ,       r
ds(在)
=22m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=4.5v
R
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=30m
Ω
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=2.5v
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p-频道
-20v/-4.3a , r
ds(在)
=80m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=-4.5v
R
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=105m
Ω
(典型值.) @ v
GS
=-2.5v
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超级的 高 dense cell 设计 为 极其 低
R
ds(在)
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可依靠的 和 坚毅的
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所以-8 包装
管脚 描述
订货 和 标记 信息
特性
产品
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电源 管理 在 notebook 计算机 ,
可携带的 设备 和 电池 powered
系统.
所以-8
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D1 D1
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处理 代号
温度 范围
包装 代号
包装 代号
k : 所以-8
运作 接合面 温度 范围
c : -55 至 150 c
处理 代号
tr : 录音带 &放大; 卷轴
°
apm4500 k  :
APM4500
XXXXX
xxxxx - 日期 代号
n-频道 场效应晶体管 p-频道 场效应晶体管
G2
S2
D2 D2

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双增强模式场效应晶体管 (n-和 p-频道) 版权  anpec electronics corp. rev. 一个.2 - 将., 2003 www.anpec.com.tw 1 anpec reserves 这正确的至制造改变至改进可靠性或者 manufacturability 没有注意, 和 advise 客户至获得这最新的版本的相关的信息至核实在之前放置顺序. APM4500 • n-频道 20v/8a , r ds(在) =22m Ω (典型值.) @ v GS =4.5v R ds(在) =30m Ω (典型值.) @ v GS =2.5v • p-频道 -20v/-4.3a , r ds(在) =80m Ω (典型值.) @ v GS =-4.5v R ds(在) =105m Ω (典型值.) @ v GS =-2.5v •• •• • 超级的高 dense cell 设计为极其低 R ds(在) •• •• • 可依靠的和坚毅的 •• •• • 所以-8 包装管脚描述订货和标记信息特性产品 • 电源管理在 notebook 计算机 , 可携带的设备和电池 powered 系统. 所以-8 1 2 3 45 6 7 8S1 G1 S2 G2 D2 D2 D1 D1 G1 S1 D1 D1 APM4500 处理代号温度范围包装代号包装代号 k : 所以-8 运作接合面温度范围 c : -55 至 150 c 处理代号 tr : 录音带 &放大; 卷轴 ° apm4500 k : APM4500 XXXXX xxxxx - 日期代号 n-频道场效应晶体管 p-频道场效应晶体管 G2 S2 D2 D2

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