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资料编号:456659
 
资料名称:LT4351
 
文件大小: 270.72K
   
说明
 
介绍:
MOSFET Diode-OR Controller
 
 


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LT4351
1
sn4351 4351fs
场效应晶体管 二极管-或者 控制
低 丧失 替换 为 oring 二极管 在 多样的
sourced 电源 供应
外部 n-频道 mosfets 为 高 电流
能力
内部的 boost 调整器 供应 为 场效应晶体管
门 驱动
宽 输入 范围: 1.2v 至 18v
快 切换 场效应晶体管 门 控制
输入 下面 和 超(电)压 发现
状态 和 故障 输出 为 monitoring
内部的 场效应晶体管 门 clamp
, ltc 和 lt 是 注册 商标 的 直线的 技术 公司.
paralleled 电源 供应
uninterrupted 供应
高 有效性 系统
n + 1 redundant 电源 供应
这 lt4351 creates 一个 near-完美的 二极管 使用 外部
单独的 或者 后面的-至-后面的 n-频道 mosfets. 这个 完美的
二极管 函数 准许 低 丧失 oring 的 多样的 电源
来源. 电源 来源 能 容易地 是 ored 一起 至
增加 总的 系统 电源 和 可靠性 和 minimal
效应 在 供应 电压 或者 效率. disparate 电源
这 ic monitors 这 输入 供应 和 遵守 至 这 加载
和 转变 在 这 场效应晶体管(s) 当 这 输入 供应 是
高等级的. 如果 这 场效应晶体管’s r
ds(在)
是 sufficiently 小, 这
lt4351 将 regulate 这 电压 横过 这 场效应晶体管(s) 至
15mv. 一个 状态 管脚 indicates 这 场效应晶体管 在 状态.
一个 内部的 boost 调整器 发生 这 场效应晶体管 门
驱动 电压. 低 运行 电压 准许 为 或者’ing 的
供应 作 低 作 1.2v.
这 lt4351 将 使不能运转 电源 passage 在 undervolt-
age 或者 超(电)压 情况. 这些 电压 是 设置 用
resistive dividers 在 这 uv 和 ov 管脚. 这 欠压
门槛 有 用户 可编程序的 hysteresis. overvolt-
age 发现 是 filtered 至 减少 false triggering.
这 lt4351 是 有 在 一个 10-管脚 msop.
双 5v redundant 供应
R
加载
C
加载
OUTV
V
DD
SW
LT4351
UV
OV
状态
1
µ
F
24.9k
1%
232
1%
1.47k
1%
10
µ
F 10
µ
F
5V
电源
供应
1
4.7
µ
H
MBR0530
故障
Si4862DYSi4862DY
GATEOUT
5v 一般
V
V
DD
SW
LT4351
UV
OV
状态
1
µ
F
24.9k
1%
232
1%
1.47k
1%
4351 ta01
4.7
µ
H
MBR0530
故障
电源
供应
2
5V
DESCRIPTIO
U
特性
applicatio s
U
典型 applicatio
U
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