1/10january 2002
STP22NS25Z
STB22NS25Z
n-频道 250v - 0.13
Ω
- 22a 至-220/d
2
PAK
齐纳-保护 mesh overlay™ 场效应晶体管
(1) i
SD
≤
22a, di/dt
≤
200a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
T
jmax.
内部的 图式 图解
■
典型 r
DS
(在) = 0.13
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay
™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 mosfets 和 优秀的
效能. 这 新 专利的 strip 布局 cou-
pled 和 这 公司’s 专卖的 边缘 termina-
tion 结构, 制造 它 合适的 在 coverters 为
lighting 产品.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
swith 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-直流 转换器 为 电信,
工业的, 和 lighting 设备
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP22NS25Z
STB22NS25Z
250 v
250 v
< 0.15
Ω
< 0.15
Ω
22 一个
22 一个
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
250 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
250 V
V
GS
门- 源 电压
± 20 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
22 一个
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
13.9 一个
I
DM
(
l
)
流 电流 (搏动) 88 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
135 W
减额 因素 1.07 w/°c
V
静电释放(g-s)
门 源 静电释放(hbm-c=100pf, r=1.5k
Ω)
2500 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 5 v/ns
T
stg
存储 温度
–55 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度
至-220
1
2
3
1
3
D
2
PAK
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