半导体 组件 industries, llc, 2004
march, 2004 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mtd6n15/d
MTD6N15
电源 地方 效应
晶体管 dpak
为 表面 挂载
n−channel enhancement−mode 硅
门
这个 tmos 电源 场效应晶体管 是 设计 为 高 速, 低 丧失 电源
切换 产品 此类 作 切换 regulators, 转换器,
solenoid 和 接转 驱动器.
•
硅 门 为 快 切换 speeds
•
低 r
ds(在)
— 0.3
Ω
最大值
•
坚毅的 — soa 是 电源 消耗 限制
•
source−to−drain 二极管 典型 为 使用 和
inductive 负载
•
低 驱动 必要条件 — v
gs(th)
= 4.0 v 最大值
•
表面 挂载 包装 在 16 mm 录音带
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain−source 电压 V
DSS
150 Vdc
drain−gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
150 Vdc
gate−source 电压 — 持续的
gate−source 电压— non−repetitive
(t
p
≤
50
µ
s)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
流 电流— 搏动
I
D
I
DM
6.0
20
模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
20
0.16
Watts
w/
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
c (便条 1)
P
D
1.25
0.01
Watts
w/
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (1)
减额 在之上 25
°
c (便条 2)
P
D
1.75
0.014
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 接合面 temper-
ature 范围
T
J
, t
stg
−65 至
+150
°
C
热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗
− 接合面 至 情况
− 接合面 至 包围的 (便条 1)
− 接合面 至 包围的 (便条 2)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
6.25
100
71.4
°
c/w
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq. 在. 流 垫子 大小.
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设备 包装 Shipping
†
订货 信息
MTD6N15 DPAK 75 单位/栏杆
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
6N15 = 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
情况 369c
DPAK
(表面 挂载)
样式 2
D
S
G
YWW
T
6N15
MTD6N15−1
DPAK
笔直地 含铅的
75 单位/栏杆
MTD6N15T4 DPAK 2500 录音带 &放大; 卷轴
4 流
3
源
1
门
2
流
N−CHANNEL
情况 369d
DPAK
(笔直地 含铅的)
样式 2
1
2
3
4
4 流
1
门
2
流
3
源
4
1
2
3
YWW
T
6N15
150 v 0.3
R
ds(在)
最大值
6.0 一个
I
D
最大值V
(br)dss
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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