PTZ 3.6B_集成电路资料查询网

ptz5.1b
二极管
rev.b 1/4
齐纳 二极管
ptz5.1b
z
产品
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
(单位 : mm)
电压 规章制度
PMDS
2.0
4.2
2.0
0.1±0.02
　　　 0.1
2.6±0.2
2.0±0.2
5.0±0.3
1.2±0.3
4.5±0.03
2±0.05
1.03
0.25
0.5
0.2±0.01
4.5±0.03
2.6±0.03
1.030.25 0.5
0.2
1.5±0.2
ROhm : pmds
电子元件工业联合会 : sod-106
①
制造日期
②
① ②
45
z
特性
1) 小 电源 模型 类型. (pmds)
2) 高 静电释放 容忍
z
构建
硅 外延的 planar
z
结构
z
taping 维度
(单位 : mm)
8.0±0.12.9±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
　　　　　  0
5.5±0.05
1.75±0.05
12.0±0.3
2.4±0.1
φ1.55±0.05
9.5±0.1
0.3±0.1
8.0±0.1
5.3±0.1
Symbol 单位
Pm
Tj
℃
Tstg
℃
Parameter
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
W
unction temperature
torage temperature
ower dissipation
Lim它的
150
-55至+150
1000
J
S
P

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ptz5.1b 二极管 rev.b 1/4 齐纳二极管 ptz5.1b z 产品 z 外部维度 (单位 : mm) z 地带大小图示 (单位 : mm) 电压规章制度 PMDS 2.0 4.2 2.0 0.1±0.02 　　　 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.03 2±0.05 1.03 0.25 0.5 0.2±0.01 4.5±0.03 2.6±0.03 1.030.25 0.5 0.2 1.5±0.2 ROhm : pmds 电子元件工业联合会 : sod-106 ① 制造日期 ② ① ② 45 z 特性 1) 小电源模型类型. (pmds) 2) 高静电释放容忍 z 构建硅外延的 planar z 结构 z taping 维度 (单位 : mm) 8.0±0.12.9±0.1 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.1 　　　　　 0 5.5±0.05 1.75±0.05 12.0±0.3 2.4±0.1 φ1.55±0.05 9.5±0.1 0.3±0.1 8.0±0.1 5.3±0.1 Symbol 单位 Pm Tj ℃ Tstg ℃ Parameter z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) W unction temperature torage temperature ower dissipation Lim它的 150 -55至+150 1000 J S P

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