ILD223T_集成电路资料查询网

文档 号码: 83648 www.vishay.com
修订 17-8月-01
2–183
特性
• 二 频道 optocoupler
• 高 电流 转移 比率 在
I
F
=1.0 毫安,
500% 最小值
• 分开 测试 电压,3000 v
RMS
• 电的 speciﬁcations 类似的 至 标准
6-管脚 coupler
• 兼容 和 双 波, vapor 阶段 和
ir reﬂow 焊接
• soic-8 表面 mountable 包装
• 标准 含铅的 间隔, .05"
• 有 仅有的 在 录音带 和 卷轴 选项 (con-
形式 至 eia 标准 481-2)
• underwriters lab 文件 #e52744
描述
这 ild223t 是 一个 高 电流 转移 比率 (ctr)
optocoupler. 它 有 一个 镓 砷化物 infrared led
发射级 和 一个 硅 npn photodarlington transis-
tor 探测器.
这个 设备 有 ctrs 测试 在 一个 led 电流 的
1.0 毫安. 这个 低 驱动 电流 准许 容易 inter-
facing 从 cmos 至 lsttl 或者 ttl.
这 ild223t 是 构成 在 一个 标准 soic-8a
foot 打印 这个 制造 它 ideally suited 为 高 den-
sity 产品. 在 增加 至 eliminating 通过-
孔 (所需的)东西, 这个 包装 遵从 至 stan-
dards 为 表面 挂载 设备.
最大 比率
(各自 频道)
发射级
顶峰 反转 电压 ..................................... 6.0 v
顶峰 搏动 电流 (1.0
µ
s, 300 pps) ........... 3.0 一个
持续的 向前 电流 每 频道 .... 30 毫安
电源 消耗 在 25
°
c............................ 45 mw
减额 成直线地 从 25
°
C...................... 0.4 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压............... 30 v
发射级-集电级 损坏 电压.............. 5.0 v
电源 消耗 每 频道.................... 75 mw
减额 成直线地 从 25
°
C...................... 3.1 mw/
°
C
包装
总的 包装 消耗 在 25
°
c 包围的
(2 leds + 2 detectors, 2 途径)....... 240 mw
减额 成直线地 从 25
°
C...................... 2.0 mw/
°
C
存储 温度................... –55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ................ –55
°
c 至 +100
°
C
焊接 时间 在 260
°
C ...............................10 秒
.
表格 1. 特性
T
一个
=25
°
C
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压
V
F
— — 1.3 V
I
F
=1.0 毫安
反转 电流
I
R
— 0.1 100
µ
一个
V
R
=6.0 v
电容
C
O
—25— pF
V
F
=0 v
f=1.0 mhz
探测器
损坏
电压
BV
CEO
30 — — V
I
C
=10
µ
一个
I
E
=10
µ
一个
BV
ECO
5.0 — —
电流,
集电级-发射级
I
CEO
— — 50 nA
V
CE
=5.0 v
I
F
=0
电容,
集电级-发射级
C
CE
— 3.4 — pF
V
CE
=5.0 v
包装
直流 电流
转移 比率
CTR
直流
500 — — %
I
F
=1.0 毫安,
V
CE
=5.0 v
饱和
电压,
集电级-发射级
V
CE
sat
— — 1.0 V
I
F
=1.0 毫安,
I
CE
=0.5 毫安
电容,
输入 至 输出
C
IO
0.5 — pF — —
阻抗,
输入 至 输出
R
IO
100 — G
Ω
——
转变-在 时间
t
在
15 —
µ
s—
V
CC
=10 v
R
L
=100
Ω
I
F
=5.0 毫安
转变-止 时间
t
止
30 —
µ
s—
分开 测试
电压
V
IO
3000 — — V
RMS
t=1.0 秒.
含铅的
Coplanarity
±
.001 (.04)
最大值
C
L
.016 (.41)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 (1.27) 典型值
.040 (1.02)
.008 (.20)
r.010
(.25) 最大值
.020
±
.004
(.5
±
.10)
2 plcs.
.230
±
.002
(5.84
±
.05)
.058
(1.49)
7
°
40
°
.015
±
.002
(.38
±
.05)
管脚 1
.154
±
.002
(3.91
±
.05)
.240
(6.10)
.120
±
.002
(3.05
±
.05)
5
°
最大值
.125 (3.18)
anode 1
cathode 2
anode 3
cathode 4
8 集电级
7 发射级
6 集电级
5 发射级
维度 在 英寸 (mm)
ILD223T
双 photodarlington
小 外形 表面 挂载 optocoupler

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文档号码: 83648 www.vishay.com 修订 17-8月-01 2–183 特性 • 二频道 optocoupler • 高电流转移比率在 I F =1.0 毫安, 500% 最小值 • 分开测试电压,3000 v RMS • 电的 speciﬁcations 类似的至标准 6-管脚 coupler • 兼容和双波, vapor 阶段和 ir reﬂow 焊接 • soic-8 表面 mountable 包装 • 标准含铅的间隔, .05" • 有仅有的在录音带和卷轴选项 (con- 形式至 eia 标准 481-2) • underwriters lab 文件 #e52744 描述这 ild223t 是一个高电流转移比率 (ctr) optocoupler. 它有一个镓砷化物 infrared led 发射级和一个硅 npn photodarlington transis- tor 探测器. 这个设备有 ctrs 测试在一个 led 电流的 1.0 毫安. 这个低驱动电流准许容易 inter- facing 从 cmos 至 lsttl 或者 ttl. 这 ild223t 是构成在一个标准 soic-8a foot 打印这个制造它 ideally suited 为高 den- sity 产品. 在增加至 eliminating 通过- 孔 (所需的)东西, 这个包装遵从至 stan- dards 为表面挂载设备. 最大比率 (各自频道) 发射级顶峰反转电压 ..................................... 6.0 v 顶峰搏动电流 (1.0 µ s, 300 pps) ........... 3.0 一个持续的向前电流每频道 .... 30 毫安电源消耗在 25 ° c............................ 45 mw 减额成直线地从 25 ° C...................... 0.4 mw/ ° C 探测器集电级-发射级损坏电压............... 30 v 发射级-集电级损坏电压.............. 5.0 v 电源消耗每频道.................... 75 mw 减额成直线地从 25 ° C...................... 3.1 mw/ ° C 包装总的包装消耗在 25 ° c 包围的 (2 leds + 2 detectors, 2 途径)....... 240 mw 减额成直线地从 25 ° C...................... 2.0 mw/ ° C 存储温度................... –55 ° c 至 +150 ° C 运行温度 ................ –55 ° c 至 +100 ° C 焊接时间在 260 ° C ...............................10 秒 . 表格 1. 特性 T 一个 =25 ° C 参数标识最小值典型值最大值单位情况发射级向前电压 V F — — 1.3 V I F =1.0 毫安反转电流 I R — 0.1 100 µ 一个 V R =6.0 v 电容 C O —25— pF V F =0 v f=1.0 mhz 探测器损坏电压 BV CEO 30 — — V I C =10 µ 一个 I E =10 µ 一个 BV ECO 5.0 — — 电流, 集电级-发射级 I CEO — — 50 nA V CE =5.0 v I F =0 电容, 集电级-发射级 C CE — 3.4 — pF V CE =5.0 v 包装直流电流转移比率 CTR 直流 500 — — % I F =1.0 毫安, V CE =5.0 v 饱和电压, 集电级-发射级 V CE sat — — 1.0 V I F =1.0 毫安, I CE =0.5 毫安电容, 输入至输出 C IO 0.5 — pF — — 阻抗, 输入至输出 R IO 100 — G Ω —— 转变-在时间 t 在 15 — µ s— V CC =10 v R L =100 Ω I F =5.0 毫安转变-止时间 t 止 30 — µ s— 分开测试电压 V IO 3000 — — V RMS t=1.0 秒. 含铅的 Coplanarity ± .001 (.04) 最大值 C L .016 (.41) .004 (.10) .008 (.20) .050 (1.27) 典型值 .040 (1.02) .008 (.20) r.010 (.25) 最大值 .020 ± .004 (.5 ± .10) 2 plcs. .230 ± .002 (5.84 ± .05) .058 (1.49) 7 ° 40 ° .015 ± .002 (.38 ± .05) 管脚 1 .154 ± .002 (3.91 ± .05) .240 (6.10) .120 ± .002 (3.05 ± .05) 5 ° 最大值 .125 (3.18) anode 1 cathode 2 anode 3 cathode 4 8 集电级 7 发射级 6 集电级 5 发射级维度在英寸 (mm) ILD223T 双 photodarlington 小外形表面挂载 optocoupler

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