SUMMARY
V
(br)dss
= 60v: r
ds(在)
= 0.055 ;i
D
= 4.7a
描述
这个 新 一代 的 Trench MOSFETs 从 Zetex 运用 一个 唯一的 结构
那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换 速. 这个
制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源 管理
产品.
特性
•
低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门 驱动
•
低 profile SOIC 包装
产品
•
直流 - 直流 转换器
•
电源 管理 功能
•
发动机 控制
设备 标记
•
ZXMN
6A25D
ZXMN6A25DN8
provisional 公布 b - 六月 2003
半导体
1
双 60v n-频道 增强 模式 场效应晶体管
设备
卷轴 录音带
宽度
QUANTITY
每 卷轴
ZXMN6A25DN8TA 7
’‘
12mm 500 单位
ZXMN6A25DN8TC 13’‘ 12mm 2500 单位
订货 信息
SO8
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