rev. C
信息 陈设 用 相似物 设备 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的
使用, 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部
这个 将 结果 从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者
否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 相似物 设备.
一个
低 噪音, matched
双 大而单一的 晶体管
MAT02
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106, norwood, 毫安 02062-9106, 美国
电话: 617/329-4700 传真: 617/326-8703
特性
低 补偿 电压: 50
v 最大值
低 噪音 电压 在 100 hz, 1 毫安: 1.0 nv/
√
Hz
最大值
高 增益 (h
FE
): 500 最小值 在 i
C
= 1 毫安
300 最小值 在 i
C
= 1
一个
极好的 log conformance: r
是
0.3
低 补偿 电压 逐渐变化: 0.1
v/
c 最大值
改进 直接 替换 为 lm194/394
有 在 消逝 表格
订货 手册
1
V
OS
最大值 温度 包装
模型 (t
一个
= +25
c) 范围 选项
MAT02AH
2
50
µ
V –55
°
c 至 +125
°
C 至-78
MAT02EH 50
µ
V –55
°
c 至 +125
°
C 至-78
MAT02FH 150
µ
V –55
°
c 至 +125
°
C 至-78
注释
1
烧-在 是 有 在 商业的 和 工业的 温度 范围 部分 在
至-能 包装.
2
为 设备 processed 在 总的 遵从 至 mil-标准-883, 增加 /883 之后 部分
号码. 咨询 工厂 为 883 数据 薄板.
绝对 最大 比率
1
集电级-根基 电压 (bv
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
集电级-发射级 电压 (bv
CEO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
集电级-集电级 电压 (bv
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
发射级-发射级 电压 (bv
EE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 v
集电级 电流 (i
C
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
发射级 电流 (i
E
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
总的 电源 消耗
情况 温度
≤
40
°
C
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.8 w
包围的 温度
≤
70
°
C
3
. . . . . . . . . . . . . . . .500 mw
运行 温度 范围
MAT02A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +125
°
C
mat02e, f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–25
°
c 至 +85
°
C
运行 接合面 温度 . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +150
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 60 秒). . . . . . . . . . . . . +300
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
注释
1
绝对 最大 比率 应用 至 两个都 dice 和 packaged 设备.
2
比率 应用 至 产品 使用 热温 sinking 至 控制 情况 温度.
减额 成直线地 在 16.4 mw/
°
c 为 情况 温度 在之上 40
°
c.
3
比率 应用 至 产品 不 使用 一个 热温 sinking; 设备 在 自由 空气 仅有的.
减额 成直线地 在 6.3 mw/
°
c 为 包围的 温度 在之上 70
°
c.
便条
基质 是 连接 至 情况 在 至-78 包装. sub-
strate 是 正常情况下 连接 至 这 大多数 负的 电路
潜在的, 但是 能 是 floated.
管脚 连接
至-78
(h 后缀)
产品 描述
这 设计 的 这 mat02 序列 的 npn 双 大而单一的 tran-
sistors 是 优化 为 非常 低 噪音, 低 逐渐变化, 和 低 r
是
.
精确 monolithics’ 独有的 硅 渗氮 “triple-
passivation” 处理 stabilizes 这 核心的 设备 参数
在 宽 范围 的 温度 和 消逝 时间. 也, 这 高
电流 增益 (h
FE
) 的 这 mat02 是 maintained 在 一个 宽
范围 的 集电级 电流. exceptional 特性 的 这
mat02 包含 补偿 电压 的 50
µ
v 最大值 (一个/e grades) 和
150
µ
v 最大值 f 等级. 设备 效能 是 指定 在 这
全部 军队 温度 范围 作 好 作 在 25
°
c.
输入 保护 二极管 是 提供 横过 这 发射级-根基
汇合处 至 阻止 降级 的 这 设备 特性
预定的 至 反转-片面的 发射级 电流. 这 基质 是 clamped
至 这 大多数 负的 发射级 用 这 parasitic 分开 接合面
创建 用 这 保护 二极管. 这个 结果 在 完全 isola-
tion 在 这 晶体管.
这 mat02 应当 是 使用 在 任何 应用 在哪里 低 噪音
是 一个 priority. 这 mat02 能 是 使用 作 一个 输入 平台 至 制造
一个 放大器 和 噪音 电压 的 较少 比 1.0 nv/
√
Hz
在 100 hz.
其它 产品, 此类 作 log/antilog 电路, 将 使用 这 ex-
cellent logging conformity 的 这 mat02. 典型 大(量) resis-
tance 是 仅有的 0.3
Ω
至 0.4
Ω
. 这 mat02 电的 charac-
teristics approach 那些 的 一个 完美的 晶体管 当 运作 在
一个 集电级 电流 范围 的 1
µ
一个 至 10 毫安. 为 产品 re-
quiring 多样的 设备 看 mat04 四方形 matched 晶体管
数据 薄板.
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